150V和200V的零件正在準備中。

熱失控與肖特基二極管進行了比較，肖特基二極管的反向漏電流在高溫下會迅速上升，如果使用不當，則會導致熱失控。

以額定2A的PMEG120G20ELR為例(請參見下表)，在25°C(30nAmax)時120V反向泄漏通常為300pA，在150°C(200μAmax)時為20μA。

還要求低正向電壓和反向恢復電荷。從數(shù)據(jù)表中，我得到：770mV(25°C)，860mV(-40°C)或620mV(125°C)的典型數(shù)字，然后是5nC。該公司表示：“這些SiGe整流器的優(yōu)勢是可將傳導損耗降低10%至20%。”

它們通過了AEC-Q101認證，可用于汽車。

前四個正在生產(chǎn)中：

硅鍺整流器 評分 包 PMEG120G10ELR 120V 1A CFP3（SOD123W） PMEG120G20ELP 120V 2A CFP5（SOD128） PMEG120G20ELR 120V 2A CFP3（SOD123W） PMEG120G30ELP 120V 3A CFP5（SOD128）

Nexperia稱，隨后還將出現(xiàn)另外八臺額定電壓為150或200V的設(shè)備，盡管目前尚無數(shù)據(jù)表，但這些設(shè)備正在采樣。

CFP3(1.9 x 3.7mm)和CFP5(2.7 x 5mm)封裝具有堅固的銅夾，以改善熱傳遞–分別與焊接點的結(jié)溫為18和12K / W。Nexperia表示：“切換到SiGe技術(shù)時，可以簡單地對肖特基二極管和快速恢復二極管進行引腳到引腳的替換，”

預計在汽車(發(fā)動機控制單元或燃油噴射)和LED照明以及通信基礎(chǔ)設(shè)施和服務(wù)器中的高溫下將有特殊應(yīng)用。