近日,我國芯片制造核心關(guān)鍵裝備再獲新突破。由中國電子科技集團自主研制的高能離子注入機成功實現(xiàn)百萬電子伏特高能離子加速,性能達國際主流先進水平。這意味著在芯片自主研制的道路上,中國又攻克了一樣受制多年的核心裝備。預(yù)計在今年年底前將推出首臺高能離子注入機,實現(xiàn)我國芯片制造領(lǐng)域全系列離子注入機自主創(chuàng)新發(fā)展。

在我國,每年的芯片進口額度超過了石油,在進口商品中位列第一。根據(jù)國家海關(guān)數(shù)據(jù)統(tǒng)計,2018年,中國芯片進口總量為3120億美元,占全球集成電路5千億美元市場規(guī)模的60%左右。同期中國芯片的出口額僅為846億美元,進出口差額巨大。業(yè)界普遍認為,在芯片領(lǐng)域,中國與國際先進水平相比差距巨大。面對終端需求的快速更替和技術(shù)的快速迭代,“芯片國產(chǎn)化”已經(jīng)成為國家未來長期重要的發(fā)展戰(zhàn)略。

除了高能離子注入機在芯片制造領(lǐng)域取得的重大突破,金融科技也在金融領(lǐng)域不斷創(chuàng)新,通過人工智能、云計算、區(qū)塊鏈等新興技術(shù),改造或創(chuàng)新金融產(chǎn)品、經(jīng)營模式、業(yè)務(wù)流程等,推動金融發(fā)展提質(zhì)增效。

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