2021年7月6日，華為公開了一項(xiàng)與激光芯片相關(guān)的新專利，公開號(hào)為CN113054528A。根據(jù)信息，該公司于 2019 年 12 月 12 日申請(qǐng)了該專利。

專利信息顯示，華為計(jì)劃探索AI芯片產(chǎn)業(yè)，為我們提供更多具有高性能計(jì)算能力的增強(qiáng)設(shè)備已經(jīng)很久了。

回到專利描述，該激光芯片中的模塊將由以下組件組合而成。

激光芯片主體

DML區(qū)(直調(diào)激光)

MZI濾波面積(馬赫-曾德爾干涉儀)

隔離區(qū)

顧名思義，隔離區(qū)放置在DML和MZI之間，作為分隔它們的中途。而 DML 將用作光源，而 MZI 過(guò)濾器用于創(chuàng)建過(guò)濾效果。

此外，MZI 過(guò)濾區(qū)至少包含一個(gè) MZI。而DML區(qū)和MZI濾波器區(qū)以單片集成布局存在于芯片中。

整個(gè)裝置的主要目的是通過(guò)組合模塊上的 DML 區(qū)域和 MZI 濾波器區(qū)域來(lái)提供較小的激光啁啾頻率并放大信號(hào)廣播措施。

此外，此前有報(bào)道透露，華為將在武漢建立其第一家晶圓制造制造公司。預(yù)計(jì)明年開始生產(chǎn)。此外，該公司正在招聘有才華的工程師進(jìn)行不同地點(diǎn)的芯片開發(fā)。