三星宣布，它的目標(biāo)是到2027年開始制造1.4nm半導(dǎo)體芯片。該公司周一在美國(guó)圣何塞舉行的年度三星鑄造論壇活動(dòng)中公布了路線圖。這家韓國(guó)巨頭最近開始大規(guī)模生產(chǎn)3nm工藝技術(shù)，此前曾透露計(jì)劃到2025年轉(zhuǎn)向2nm。

三星公布其先進(jìn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)路線圖

三星是世界上最大的半導(dǎo)體公司之一。雖然其內(nèi)部的 Exynos 智能手機(jī)處理器因熱管理和電池效率不佳而臭名昭著，但該公司在大多數(shù)其他半導(dǎo)體領(lǐng)域都享有良好的聲譽(yù)。它是世界上最大的存儲(chǔ)芯片制造商。該公司還經(jīng)營(yíng)代工業(yè)務(wù)，為其他公司制造半導(dǎo)體芯片。

今年早些時(shí)候，三星開始制造3nm芯片(3GAE)，成為世界上第一家這樣做的代工廠。該公司在這些解決方案中采用了柵極全能(GAA)晶體管架構(gòu)。新架構(gòu)比其4nm或更大芯片所基于的FinFET(鰭場(chǎng)效應(yīng)晶體管)架構(gòu)帶來(lái)了性能和功耗改進(jìn)。GAA晶體管架構(gòu)還允許使用更小的芯片。

在接下來(lái)的幾年中，三星將提高其3nm GAA解決方案的性能和能效。它計(jì)劃在2024年推出第二代3nm芯片(3GAP)，并在2025年推出Plus迭代(3GAP +)。該公司正在吹捧第二代解決方案比第一代解決方案小20%，從而允許更小，更節(jié)能的芯片。

三星到2025年生產(chǎn)2nm芯片，到2027年生產(chǎn)1.4nm芯片

除了改進(jìn)其現(xiàn)有解決方案外，三星還將致力于更先進(jìn)的半導(dǎo)體芯片。如前所述，該公司已經(jīng)透露，到2025年將配備2nm芯片。它現(xiàn)在已經(jīng)宣布，這些芯片將具有背面供電功能。目前，半導(dǎo)體芯片中的晶體管只能通過(guò)芯片的一側(cè)接收功率或進(jìn)行通信。這項(xiàng)新技術(shù)將使兩側(cè)同時(shí)供電和通信成為可能。它將帶來(lái)實(shí)質(zhì)性的性能提升。

2026年，三星計(jì)劃推出其第二代2nm芯片，隨后在2027年推出1.4nm解決方案。到這個(gè)時(shí)候，其先進(jìn)半導(dǎo)體的產(chǎn)能將比今年增長(zhǎng)三倍以上。該公司沒(méi)有透露這些先進(jìn)的解決方案將帶來(lái)哪些改進(jìn)，但隨著半導(dǎo)體尺寸的縮小，您可以期待更多的性能和功耗改進(jìn)。

在最近結(jié)束的三星代工論壇活動(dòng)中，該公司還宣布正在改進(jìn)2.5D/3D異構(gòu)集成封裝技術(shù)。它將在2024年開始批量生產(chǎn)具有微凸點(diǎn)互連的3D包裝X-Cube。無(wú)顛簸的X-Cube將于2026年上市。

三星也在改進(jìn)其汽車和電信解決方案

三星還為汽車客戶提供嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)解決方案。其目前的產(chǎn)品基于28nm技術(shù)。該公司計(jì)劃到2024年(通過(guò))轉(zhuǎn)向14eNVM解決方案。在電信領(lǐng)域，三星正在開發(fā)5nm RF(射頻)芯片。它已經(jīng)從14nm轉(zhuǎn)向8nm RF解決方案。

“隨著高性能計(jì)算(HPC)，人工智能(AI)，5/6G連接和汽車應(yīng)用的顯著市場(chǎng)增長(zhǎng)，對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體的需求急劇增加，使得半導(dǎo)體工藝技術(shù)的創(chuàng)新對(duì)代工廠客戶的業(yè)務(wù)成功至關(guān)重要，”三星在一份新聞稿中表示。